AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4-75BCN Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4-75BCNTR von Alliance Memory und AS4C512M16D4-75BCN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

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AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

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Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCN
Marke Alliance Memory Alliance Memory
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,90 $7,75
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
Datenrate 2666 Mbps per pin 2666 MT/s (DDR4-2666)
Access Time 18 ns 18 ns
Write Cycle Time 15 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) —
Schnittstelle Parallel Parallel
Prefetch Architecture 8n 8n
Internal Bank Count 16 banks —
Gehäuse 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) 96-FBGA (7.5 mm x 13 mm)
Betriebstemperaturbereich 0C to +95C (case, commercial) 0C to +95C (Commercial)
Process Technology 20nm-class DRAM —
Termination On-die termination (ODT) —
Refresh Modes Auto-refresh and self-refresh Auto-refresh, Self-refresh
Montageart Surface Mount Surface Mount (FBGA)
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Versorgungsspannung — 1.2 V
CAS-Latenz — 18
Number of Banks — 16
Packaging — Tray
On-Die Termination — Yes (ODT)
Standby Power — [DATA_NEEDED: standby power]

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