AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4-75BCN 비교

다음의 상세 나란히 비교: AS4C512M16D4-75BCNTR 제조: Alliance Memory 및 AS4C512M16D4-75BCN 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ 활성
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCN AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCN ✓ 활성

사양 비교

파라미터 AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCN
브랜드 Alliance Memory Alliance Memory
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $7.90 $7.75
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.333 GHz 1.333 GHz
데이터 속도 2666 Mbps per pin 2666 MT/s (DDR4-2666)
Access Time 18 ns 18 ns
Write Cycle Time 15 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) —
인터페이스 Parallel Parallel
Prefetch Architecture 8n 8n
Internal Bank Count 16 banks —
패키지 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) 96-FBGA (7.5 mm x 13 mm)
동작 온도 범위 0C to +95C (case, commercial) 0C to +95C (Commercial)
Process Technology 20nm-class DRAM —
Termination On-die termination (ODT) —
Refresh Modes Auto-refresh and self-refresh Auto-refresh, Self-refresh
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (FBGA)
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
공급 전압 — 1.2 V
CAS 레이턴시 — 18
Number of Banks — 16
Packaging — Tray
On-Die Termination — Yes (ODT)
Standby Power — [DATA_NEEDED: standby power]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청