AS4C512M16D4A-62BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4A-62BCN von Alliance Memory und AS4C512M16D4-75BCNTR von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Aktiv
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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
Marke Alliance Memory Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,20 $7,90
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V —
Datenrate 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 Mbps per pin
CAS-Latenz 18 ns —
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Betriebstemperatur 0°C to 95°C —
Montageart Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
Schnittstelle POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Packaging Tray —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
Betriebstemperaturbereich — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

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