AS4C512M16D4A-62BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок AS4C512M16D4A-62BCN от Alliance Memory и AS4C512M16D4-75BCNTR от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Активен
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
Бренд Alliance Memory Alliance Memory
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $7,20 $7,90
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit —
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Напряжение питания 1.2 V —
Скорость передачи данных 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 Mbps per pin
Задержка CAS 18 ns —
Корпус 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Рабочая температура 0°C to 95°C —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
Интерфейс POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant
Packaging Tray —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
Диапазон рабочих температур — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену