AS4C512M16D4A-62BCN vs AS4C512M16D4-75BCNTR 对比

详细并排对比 AS4C512M16D4A-62BCN 出自 Alliance Memory 和 AS4C512M16D4-75BCNTR 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 量产中
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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ 量产中

规格对比

参数 AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4-75BCNTR
品牌 Alliance Memory Alliance Memory
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $7.20 $7.90
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit —
存储组织 512M x 16 512M x 16
电源电压 1.2 V —
数据速率 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 Mbps per pin
CAS 延迟 18 ns —
封装 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
工作温度 0°C to 95°C —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
接口 POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS 状态 Compliant Compliant
Packaging Tray —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
工作温度范围 — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free — Yes

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