AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NAFR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4A-62BCN von Alliance Memory und H5AN8G6NAFR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,20 | $0,12 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 1600 MHz (3200 Mbps) | 2400 MT/s |
| CAS-Latenz | 18 ns | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C | 0°C to +85°C |
| Montageart | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Schnittstelle | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |