AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NAFR 비교
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Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Alliance Memory | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.20 | $0.12 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| 데이터 속도 | 1600 MHz (3200 Mbps) | 2400 MT/s |
| CAS 레이턴시 | 18 ns | — |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to 95°C | 0°C to +85°C |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| 인터페이스 | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |