AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NAFR 对比

详细并排对比 AS4C512M16D4A-62BCN 出自 Alliance Memory 和 H5AN8G6NAFR 出自 SK hynix。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 量产中
SK hynix
H5AN8G6NAFR H5AN8G6NAFR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR ✓ 量产中

规格对比

参数 AS4C512M16D4A-62BCN H5AN8G6NAFR
品牌 Alliance Memory SK hynix
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $7.20 $0.12
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit —
存储组织 512M x 16 512M x 16
电源电压 1.2 V 1.2 V
数据速率 1600 MHz (3200 Mbps) 2400 MT/s
CAS 延迟 18 ns —
封装 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA
工作温度 0°C to 95°C 0°C to +85°C
安装类型 Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
接口 POD (Pseudo Open Drain) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS 状态 Compliant —
Packaging Tray —
Density — 8 Gb
Lead-Free — Yes
无卤 — Yes
RoHS Compliant — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC — Yes
Write Leveling — Yes

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