AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NDJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4A-62BCN von Alliance Memory und H5AN8G6NDJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C512M16D4A-62BCN H5AN8G6NDJR-UHC
Marke Alliance Memory SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,20 $34,60
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V —
Datenrate 1600 MHz (3200 Mbps) —
CAS-Latenz 18 ns —
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
Betriebstemperatur 0°C to 95°C —
Montageart Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Schnittstelle POD (Pseudo Open Drain) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS-Status Compliant —
Packaging Tray —
Density — 8 Gb
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

Datenblätter & Ressourcen

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