AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NDJR-UHC 比較

詳細な並列比較: AS4C512M16D4A-62BCN メーカー: Alliance Memory および H5AN8G6NDJR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ AS4C512M16D4A-62BCN H5AN8G6NDJR-UHC
ブランド Alliance Memory SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.20 $34.60
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
電源電圧 1.2 V —
データレート 1600 MHz (3200 Mbps) —
CASレイテンシ 18 ns —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
動作温度 0°C to 95°C —
実装タイプ Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
インターフェース POD (Pseudo Open Drain) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS ステータス Compliant —
Packaging Tray —
Density — 8 Gb
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

データシート&リソース

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