AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G6NDJR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок AS4C512M16D4A-62BCN от Alliance Memory и H5AN8G6NDJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр AS4C512M16D4A-62BCN H5AN8G6NDJR-UHC
Бренд Alliance Memory SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $7,20 $34,60
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit —
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Напряжение питания 1.2 V —
Скорость передачи данных 1600 MHz (3200 Mbps) —
Задержка CAS 18 ns —
Корпус 96-FBGA (7.5x13 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
Рабочая температура 0°C to 95°C —
Тип монтажа Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Интерфейс POD (Pseudo Open Drain) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
Статус RoHS Compliant —
Packaging Tray —
Density — 8 Gb
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену