AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4-75BIN Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4A-62BIN von Alliance Memory und AS4C512M16D4-75BIN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Aktiv
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AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4-75BIN
Marke Alliance Memory Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,10 $8,99
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit 8 Gbit
Speicherorganisation 512M x 16 —
Clock Rate 1600 MHz —
Datenrate 3200 Mbps per pin 2666 Mbps
Versorgungsspannung 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.2 V
Betriebstemperatur -40°C to +95°C -40°C to +95°C
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13mm) 96-FBGA (7.5x13)
Schnittstelle POD (Pseudo Open Drain) POD
CAS-Latenz Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Memory Organization — 512M x 16
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Anzahl der Pins — 96
RoHS-Status — Compliant
Eigenschaften — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

Datenblätter & Ressourcen

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