AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4-75BIN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4A-62BIN par Alliance Memory et AS4C512M16D4-75BIN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Actif
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4-75BIN
Marque Alliance Memory Alliance Memory
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $8,99
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit 8 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Clock Rate 1600 MHz —
Débit de données 3200 Mbps per pin 2666 Mbps
Tension d'alimentation 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.2 V
Température de fonctionnement -40°C to +95°C -40°C to +95°C
Boîtier 96-FBGA (7.5x13mm) 96-FBGA (7.5x13)
Interface POD (Pseudo Open Drain) POD
Latence CAS Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Memory Organization — 512M x 16
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Nombre de broches — 96
Statut RoHS — Compliant
Caractéristiques — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

Fiches techniques et ressources

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