AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4-75BIN Comparación

Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4A-62BIN por Alliance Memory y AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Activo
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4-75BIN
Marca Alliance Memory Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,10 $8,99
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit 8 Gbit
Organización de memoria 512M x 16 —
Clock Rate 1600 MHz —
Velocidad de datos 3200 Mbps per pin 2666 Mbps
Tensión de alimentación 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.2 V
Temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C -40°C to +95°C
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13mm) 96-FBGA (7.5x13)
Interfaz POD (Pseudo Open Drain) POD
Latencia CAS Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Memory Organization — 512M x 16
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Número de pines — 96
Estado RoHS — Compliant
Características — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

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