AS4C512M16D4A-62BIN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4A-62BIN von Alliance Memory und MT40A512M16JY-07EAIT:B von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ AktivMicron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | AS4C512M16D4A-62BIN | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $8,10 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| Datenrate | 3200 Mbps per pin | 2666 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-FBGA (8x14) |
| Schnittstelle | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 22 cycles) | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |