AS4C512M16D4A-62BIN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparação

Comparação detalhada lado a lado de AS4C512M16D4A-62BIN por Alliance Memory e MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro AS4C512M16D4A-62BIN MT40A512M16JY-07EAIT:B
Marca Alliance Memory Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $8,10
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit 8 Gbit
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Clock Rate 1600 MHz —
Taxa de dados 3200 Mbps per pin 2666 MT/s
Tensão de alimentação 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) —
Temperatura de operação -40°C to +95°C —
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13mm) 96-FBGA (8x14)
Interface POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Latência CAS Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant Compliant
Tipo de montagem Surface Mount —
Lead Free Yes —
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Faixa de temperatura de operação — -40°C to +105°C (AIT grade)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)

Fichas técnicas e recursos

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