AS4C512M16D4A-62BIN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Сравнение

Подробное сравнение бок о бок AS4C512M16D4A-62BIN от Alliance Memory и MT40A512M16JY-07EAIT:B от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр AS4C512M16D4A-62BIN MT40A512M16JY-07EAIT:B
Бренд Alliance Memory Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,10 $8,10
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit 8 Gbit
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Clock Rate 1600 MHz —
Скорость передачи данных 3200 Mbps per pin 2666 MT/s
Напряжение питания 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) —
Рабочая температура -40°C to +95°C —
Корпус 96-FBGA (7.5x13mm) 96-FBGA (8x14)
Интерфейс POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Задержка CAS Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant Compliant
Тип монтажа Surface Mount —
Lead Free Yes —
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Диапазон рабочих температур — -40°C to +105°C (AIT grade)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену