AS4C512M16D4B-62BCNTR vs AS4C512M16D4-75BCNTR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4B-62BCNTR von Alliance Memory und AS4C512M16D4-75BCNTR von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
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AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ AktivAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | AS4C512M16D4B-62BCNTR | AS4C512M16D4-75BCNTR |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | Alliance Memory |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $7,90 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Datenrate | 3200 MT/s | 2666 Mbps per pin |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.333 GHz |
| CAS-Latenz | 19 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Revision | Rev.B | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 8 Gbit |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) |
| Prefetch Architecture | — | 8n |
| Internal Bank Count | — | 16 banks |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0C to +95C (case, commercial) |
| Process Technology | — | 20nm-class DRAM |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Packaging Option | — | Tape & Reel (TR suffix) |