AS4C512M16D4B-62BCNTR vs AS4C512M16D4-75BCNTR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory e AS4C512M16D4-75BCNTR por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Ativo
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR
Marca Alliance Memory Alliance Memory
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $7,90
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit (512M x 16) —
Taxa de dados 3200 MT/s 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1600 MHz 1.333 GHz
Latência CAS 19 ns —
Tensão de alimentação 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Interface Parallel Parallel
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Temperatura de operação 0°C to 95°C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Revision Rev.B —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Density — 8 Gbit
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
Faixa de temperatura de operação — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)

Fichas técnicas e recursos

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