AS4C512M16D4B-62BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4B-62BCNTR von Alliance Memory und AS4C512M16D4-75BIN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Aktiv
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AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4-75BIN
Marke Alliance Memory Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,10 $8,99
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
Datenrate 3200 MT/s 2666 Mbps
Clock Frequency 1600 MHz 1.333 GHz
CAS-Latenz 19 ns —
Versorgungsspannung 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
Schnittstelle Parallel POD
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13)
Betriebstemperatur 0°C to 95°C -40°C to +95°C
Montageart Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
Speicherorganisation 512M x 16 —
Revision Rev.B —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Memory Organization — 512M x 16
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Anzahl der Pins — 96
Eigenschaften — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

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