AS4C512M16D4B-62BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN Comparación

Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory y AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Activo
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4-75BIN
Marca Alliance Memory Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,10 $8,99
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
Velocidad de datos 3200 MT/s 2666 Mbps
Clock Frequency 1600 MHz 1.333 GHz
Latencia CAS 19 ns —
Tensión de alimentación 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
Interfaz Parallel POD
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13)
Temperatura de funcionamiento 0°C to 95°C -40°C to +95°C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
Organización de memoria 512M x 16 —
Revision Rev.B —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Memory Organization — 512M x 16
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Número de pines — 96
Características — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

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