AS4C512M16D4B-62BCNTR vs AS4C512M16D4-75BIN 对比

详细并排对比 AS4C512M16D4B-62BCNTR 出自 Alliance Memory 和 AS4C512M16D4-75BIN 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 量产中
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AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ 量产中

规格对比

参数 AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4-75BIN
品牌 Alliance Memory Alliance Memory
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $8.10 $8.99
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
数据速率 3200 MT/s 2666 Mbps
Clock Frequency 1600 MHz 1.333 GHz
CAS 延迟 19 ns —
电源电压 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
接口 Parallel POD
封装 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13)
工作温度 0°C to 95°C -40°C to +95°C
安装类型 Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
存储组织 512M x 16 —
Revision Rev.B —
RoHS 状态 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Memory Organization — 512M x 16
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
引脚数 — 96
特性 — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

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