AT45DB041D-SU vs W25M512JVEIQ Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AT45DB041D-SU von Renesas Electronics und W25M512JVEIQ von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter AT45DB041D-SU W25M512JVEIQ
Marke Renesas Electronics Winbond
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $3,64
Speichertyp DataFLASH NOR FLASH - NOR Memory IC (Multichip Package)
Memory Format FLASH —
Density 4 Mbit (4,325,376 bits) —
Speicherorganisation 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) 64M x 8
Schnittstelle SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) SPI, Dual SPI, Quad SPI
Maximale Taktfrequenz 66 MHz —
Versorgungsspannung 2.7 V to 3.6 V —
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes —
Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Endurance 100,000 program/erase cycles per page —
Data Retention 20 years minimum [DATA_NEEDED: Data retention]
Security Register 128 bytes —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Gehäuse 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) 8-WSON (8mm x 6mm) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Speichergröße — 512 Mbit (64 MB)
Max Clock Frequency — 104 MHz
Operating Voltage — 3V / 3.3V
Access Time — 7 ns
Sector Size — 4KB Uniform Sector
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase cycles]
Write Protect — Hardware /WP pin
Hold Pin — /HOLD supported
MSL-Level — [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level]

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