AT45DB041D-SU vs W25M512JVEIQ Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AT45DB041D-SU par Renesas Electronics et W25M512JVEIQ par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AT45DB041D-SU W25M512JVEIQ
Marque Renesas Electronics Winbond
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $3,64
Type de mémoire DataFLASH NOR FLASH - NOR Memory IC (Multichip Package)
Memory Format FLASH —
Density 4 Mbit (4,325,376 bits) —
Organisation de la mémoire 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) 64M x 8
Interface SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) SPI, Dual SPI, Quad SPI
Fréquence d'horloge maximale 66 MHz —
Tension d'alimentation 2.7 V to 3.6 V —
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes —
Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Endurance 100,000 program/erase cycles per page —
Data Retention 20 years minimum [DATA_NEEDED: Data retention]
Security Register 128 bytes —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Boîtier 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) 8-WSON (8mm x 6mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Taille de mémoire — 512 Mbit (64 MB)
Max Clock Frequency — 104 MHz
Operating Voltage — 3V / 3.3V
Access Time — 7 ns
Sector Size — 4KB Uniform Sector
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase cycles]
Write Protect — Hardware /WP pin
Hold Pin — /HOLD supported
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level]

Fiches techniques et ressources

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