AT45DB041D-SU vs W25M512JVEIQ 비교
다음의 상세 나란히 비교: AT45DB041D-SU 제조: Renesas Electronics 및 W25M512JVEIQ 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | AT45DB041D-SU | W25M512JVEIQ |
|---|---|---|
| 브랜드 | Renesas Electronics | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.92 | $3.64 |
| 메모리 유형 | DataFLASH NOR | FLASH - NOR Memory IC (Multichip Package) |
| Memory Format | FLASH | — |
| Density | 4 Mbit (4,325,376 bits) | — |
| 메모리 구성 | 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) | 64M x 8 |
| 인터페이스 | SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) | SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| 최대 클록 주파수 | 66 MHz | — |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | — |
| SRAM Data Buffers | 2 x 264 bytes | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Endurance | 100,000 program/erase cycles per page | — |
| Data Retention | 20 years minimum | [DATA_NEEDED: Data retention] |
| Security Register | 128 bytes | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] |
| 패키지 | 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) | 8-WSON (8mm x 6mm) with exposed pad |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 512 Mbit (64 MB) |
| Max Clock Frequency | — | 104 MHz |
| Operating Voltage | — | 3V / 3.3V |
| Access Time | — | 7 ns |
| Sector Size | — | 4KB Uniform Sector |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase cycles] |
| Write Protect | — | Hardware /WP pin |
| Hold Pin | — | /HOLD supported |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |