AUIRF7769L2TR vs AUIRF7640S2TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AUIRF7769L2TR von Infineon und AUIRF7640S2TR von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter AUIRF7769L2TR AUIRF7640S2TR
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,78 $1,18
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub> 375 A —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10V 3.5 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Power Dissipation at T<sub>C</sub> 125 W —
Power Dissipation at T<sub>A</sub> 3.3 W —
Gehäuse DirectFET Isometric L8 (DPAK footprint) DirectFET SB (Surface Mount)
Profile Height 0.7 mm —
Technology Automotive HEXFET Power MOSFET (trench) HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: min/max junction temperature] -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet)
RoHS-Status Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet]
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — 5.8 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 21 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 2.4 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 30 W
On-Resistance RDS(on) — 36 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 7.3 nC
Primary Application — Automotive Class D audio amplifier output stage

Datenblätter & Ressourcen

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