BC817-40-SNR vs BC817-40 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BC817-40-SNR von Nexperia und BC817-40 von Nexperia. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BC817-40-SNR BC817-40
Marke Nexperia Nexperia
Kategorie Transistors Transistors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,04 $0,02
Transistortyp NPN NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Gehäuse SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
Montageart Surface Mount Surface Mount
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 45 V 45 V
Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo) 50 V 50 V
Emitter-Basis-Spannung (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 500 mA 500 mA
Peak Collector Current (ICM) 1000 mA [DATA_NEEDED: ICM value]
Verlustleistung (Ptot) 250 mW —
Übergangsfrequenz (ft) 100 MHz 100 MHz
DC Current Gain (hFE) 250 to 630 (at VCE=2V, IC=100mA) —
hFE Bin -40 (high gain bin) —
Betriebstemperatur -65 C to +150 C —
Pin Configuration 1-Base, 2-Emitter, 3-Collector (SOT-23 standard) —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level MSL 1 1
Complement (PNP) BC807-40 —
Packaging Suffix /SNR (SOT-23, Tape and Reel, 3000 pcs) —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -65 C to +150 C
Complementary PNP Part — BC807-40

Datenblätter & Ressourcen

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