BC817-40-SNR vs BC817-40 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BC817-40-SNR por Nexperia y BC817-40 por Nexperia. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BC817-40-SNR BC817-40
Marca Nexperia Nexperia
Categoría Transistors Transistors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,04 $0,02
Tipo de transistor NPN NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Encapsulado SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Tensión colector-emisor (Vceo) 45 V 45 V
Tensión colector-base (Vcbo) 50 V 50 V
Tensión emisor-base (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 500 mA 500 mA
Peak Collector Current (ICM) 1000 mA [DATA_NEEDED: ICM value]
Disipación de potencia (Ptot) 250 mW —
Frecuencia de transición (ft) 100 MHz 100 MHz
DC Current Gain (hFE) 250 to 630 (at VCE=2V, IC=100mA) —
hFE Bin -40 (high gain bin) —
Temperatura de funcionamiento -65 C to +150 C —
Pin Configuration 1-Base, 2-Emitter, 3-Collector (SOT-23 standard) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL MSL 1 1
Complement (PNP) BC807-40 —
Packaging Suffix /SNR (SOT-23, Tape and Reel, 3000 pcs) —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
Temperatura de unión de funcionamiento — -65 C to +150 C
Complementary PNP Part — BC807-40

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