BSC005N03LS5IATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC005N03LS5IATMA1 von Infineon und BSC014NE2LSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC005N03LS5IATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,32 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC005N03LS5IATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 433 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) at VGS = 10 mA —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 188 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C -55 °C to +150 °C
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
RoHS-Status Compliant (per LCSC listing) Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Lead-Free — Yes

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