BSC005N03LS5IATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC005N03LS5IATMA1 par Infineon et BSC014NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC005N03LS5IATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,32 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC005N03LS5IATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 433 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) at VGS = 10 mA —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 188 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 °C to +150 °C
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Statut RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Lead-Free — Yes

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