BSC005N03LS5IATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC005N03LS5IATMA1 por Infineon y BSC014NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ Activo
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BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC005N03LS5IATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,32 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC005N03LS5IATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 433 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) at VGS = 10 mA —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 188 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 °C to +150 °C
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Estado RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Lead-Free — Yes

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