BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC009NE2LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC010NE2LSIATMA1 von Infineon und BSC009NE2LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC010NE2LSIATMA1 BSC009NE2LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $1,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series / Family OptiMOS 25V —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (TJ)
Pin-Anzahl 8 8
RoHS-Status Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_a — 41 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_c — 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey)
Pulsed Drain Current (I_DM) — 255 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 0.9 mOhm
Power Dissipation (T_a) — 2.5 W
Power Dissipation (T_c) — 96 W
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL)

Datenblätter & Ressourcen

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