BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC009NE2LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC010NE2LSIATMA1 par Infineon et BSC009NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC010NE2LSIATMA1 | BSC009NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $1,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series / Family | OptiMOS 25V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 96 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | -55C to +150C (TJ) |
| Nombre de broches | 8 | 8 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Rds(on) at 10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] | — |
| Rds(on) at 4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Series | — | OptiMOS 25V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_a | — | 41 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_c | — | 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 255 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Power Dissipation (T_a) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (T_c) | — | 96 W |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) |