BSC011N03LSIATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC011N03LSIATMA1 von Infineon und BSC027N04LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC011N03LSIATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,32 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 30 V OptiMOS 3
Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.1 mΩ (typical) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 96 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +150 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Verlustleistung (TC=25°C) — 83 W
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
Halogenfrei — Yes

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