BSC011N03LSIATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC011N03LSIATMA1 メーカー: Infineon および BSC027N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC011N03LSIATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.32 | $0.54 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 30 V | OptiMOS 3 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | 1.1 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 96 W | — |
| 動作接合温度 | -55 °C to +150 °C | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| 消費電力（TC=25°C） | — | 83 W |
| 動作温度範囲 | — | -55°C to +150°C |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench) |
| ハロゲンフリー | — | Yes |