BSC011N03LSIATMA1 vs IRLR8726TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC011N03LSIATMA1 von Infineon und IRLR8726TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC011N03LSIATMA1 IRLR8726TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,32 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 30 V —
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.1 mΩ (typical) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 96 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +150 °C -55C to +175C
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Part Number — IRLR8726TRPBF
Technology — StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 86 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max — 5.8 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) min/max]
Gate Charge Q_g (typ.) — 15 nC
Power Dissipation P_D — 75 W at T_C
Anzahl der Pins — 3 (Gate, Drain, Source)
Halogenfrei — Yes

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