BSC011N03LSIATMA1 vs IRLR8726TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC011N03LSIATMA1 por Infineon e IRLR8726TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC011N03LSIATMA1 IRLR8726TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,32 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 30 V —
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.1 mΩ (typical) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 96 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +150 °C -55C to +175C
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Part Number — IRLR8726TRPBF
Technology — StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 86 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max — 5.8 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) min/max]
Gate Charge Q_g (typ.) — 15 nC
Power Dissipation P_D — 75 W at T_C
Número de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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