BSC011N03LSIATMA1 vs IRLR8726TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC011N03LSIATMA1 par Infineon et IRLR8726TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC011N03LSIATMA1 IRLR8726TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,32 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 30 V —
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.1 mΩ (typical) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 96 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C -55C to +175C
Boîtier PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Part Number — IRLR8726TRPBF
Technology — StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 86 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max — 5.8 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) min/max]
Gate Charge Q_g (typ.) — 15 nC
Power Dissipation P_D — 75 W at T_C
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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