BSC014N06NSATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC014N06NSATMA1 von Infineon und BSC011N03LSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC014N06NSATMA1 BSC011N03LSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS™ 30 V
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM value]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.45 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 156 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C —
Gehäuse PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (Surface Mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 (shielded-gate trench) —
Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.1 mΩ (typical)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 96 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +150 °C

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