BSC014N06NSATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC014N06NSATMA1 제조: Infineon 및 BSC011N03LSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC014N06NSATMA1 | BSC011N03LSIATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.89 | $1.32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS™ 30 V |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/- 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.45 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 156 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.1 mΩ (typical) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 96 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +150 °C |