BSC015NE2LS5IATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC015NE2LS5IATMA1 von Infineon und BSZ018NE2LSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC015NE2LS5IATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,69 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.5 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 50 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS (Infineon trench MOSFET)
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Number — BSZ018NE2LSIATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 69 W
Lead-Free — Yes

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