BSC015NE2LS5IATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC015NE2LS5IATMA1 por Infineon e BSZ018NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC015NE2LS5IATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,69 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.5 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 50 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS (Infineon trench MOSFET)
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Number — BSZ018NE2LSIATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 69 W
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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