BSC016N06NSATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC016N06NSATMA1 von Infineon und BSC076N06NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC016N06NSATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC [DATA_NEEDED: Qg value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 2.0 V to 3.5 V
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) 1 (unlimited)
RoHS-Status Compliant —
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 N-Channel Trench MOSFET
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
RoHS Compliance — Compliant
Halogenfrei — Yes (per Infineon product page)

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