BSC016N06NSATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC016N06NSATMA1 por Infineon y BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC016N06NSATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC [DATA_NEEDED: Qg value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 2.0 V to 3.5 V
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Estado RoHS Compliant —
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 N-Channel Trench MOSFET
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
RoHS Compliance — Compliant
Sin halógenos — Yes (per Infineon product page)

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