BSC016N06NSATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC016N06NSATMA1 par Infineon et BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC016N06NSATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC [DATA_NEEDED: Qg value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 2.0 V to 3.5 V
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant —
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 N-Channel Trench MOSFET
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
RoHS Compliance — Compliant
Sans halogène — Yes (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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