BSC016N06NSATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC016N06NSATMA1 von Infineon und BSC0902NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC016N06NSATMA1 BSC0902NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant —
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern