BSC016N06NSATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC016N06NSATMA1 por Infineon y BSC0902NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC016N06NSATMA1 BSC0902NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Estado RoHS Compliant —
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Sin halógenos — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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