BSC019N04LSTATMA1 vs BSC026N04LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC019N04LSTATMA1 von Infineon und BSC026N04LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC019N04LSTATMA1 BSC026N04LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,21 $0,78
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) Trench-gate OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm [DATA_NEEDED: max RDS(on)]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C -55°C to +150°C
Gehäuse TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.6 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 63 W
Channel Type — N-Channel

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