BSC019N04LSTATMA1 vs BSC026N04LSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC019N04LSTATMA1 от Infineon и BSC026N04LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 2.6mΩ MOSFET | Infineon

BSC026N04LSATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 2.6mΩ MOSFET | Infineon

BSC026N04LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC019N04LSTATMA1 BSC026N04LSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,21 $0,78
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) Trench-gate OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm [DATA_NEEDED: max RDS(on)]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C -55°C to +150°C
Корпус TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (unlimited) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.6 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 63 W
Channel Type — N-Channel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену