BSC019N04LSTATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC019N04LSTATMA1 von Infineon und BSC0921NDIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC019N04LSTATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,21 $0,68
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 25V (N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] 31 A (per channel, package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) 1 (per Infineon OptiMOS family)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

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